Uma equipe internacional de pesquisadores demonstraram pela primeira vez que uma molécula pode operar como um transistor de efeito de campo (FET). A equipe publicou os resultados na Nature Physics de Agosto de 2015.

Os experimentos foram realizados em Berlin no Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), com a ajuda dos pesquisadores da Free University of Berlin (FUB), do laboratório NTT Basic Research Laboratories (NTT-BRL) no Japão e do laboratório U.S. Naval Research Laboratory (NRL) Em Washington, D.C.

Os pesquisadores usaram uma técnica demonstrada pela primeira vez pelos pesquisadores da IBM em 1990 quando eles criaram as letras I,B e M movendo um único átomo ao redor de uma superfície de metal com um Um microscópio de corrente de tunelamento (STM). A fim da molécula funcionar como um transistor, os pesquisares tiveram que depositá-la - assim como carregar os átomos de índios que o cerca, formando um portão sobre uma superfície semicondutora ao invés de uma de metal.

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